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许多学者经过引进不同的金属离子或半导体对uv光催化剂进行改性以提高其活性和光敏性。在除臭设备中掺杂过渡族金属和掺杂氮元素对其进行改性进步tio2的光敏性，掺杂的过渡族金属例如v、cr、mn、fe、co、 ni和 cu使得吸收光的波段得到扩展。经过掺杂低浓度的wo3（4 wt.%)能够使锐钛矿型的tio2有用的使用可见光和紫外光进------的分化，uv光解除臭设备，光敏处理可使一体扰流喷淋除臭设备半导体具有的呼应光频，加速了电子传递来改进光催化反响。

发现tio2能够掺杂金属离子和一些半导体进行改性，tio2晶格内掺杂的元素能够有用的重建载体， 加速电子的搬迁速率， 以0.1-0.5% 的摩尔分率参加fe3+，mo5+，ru3+，垃圾站除臭设备，os3+，re5+，v4+，和 rh3+能够显着的进步uv光催化剂的氧化和去除能力，可是co3+和al3+的参加使得uv光催化剂的活性下降。在2003 年发现pd/tio2催化剂在紫外线下对家---蒸汽的去除效果比单纯用tio2进步许多，可是pd的效果主要是避免催化剂活性的下降而不是进步其原有活性。一体扰流喷淋除臭设备tio2中参加---系金属（la3+，eu3+，pr3+，nd3+，sm3+）能够有用地进步催化剂外表的化学和物理吸附有机物的功能[10]。lindazou和yonggangluo发现sio2–tio2的活性高于tio2，而且比tio2失活的速度较慢。二元的氧化剂比二氧化钛也有更高的家---吸附容量。

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进步除臭设备半导体光催化剂活性的途径

影响光催化的要素主要有：(1) 试剂的制备方法。常用tio2光催化剂制备办法有溶胶—凝胶法、沉淀法、水解法等。不同的办法制得的tio2粉末的粒径不同，其光催化作用也不同。一起在制备进程中有无复合，有无掺杂等对光降解也有影响。

一体扰流喷淋除臭设备光催化剂用量。在光催化降解反响动力学中可知tio2的用量对整个降解反响的速率是有影响的。有机物的品种、浓度。以tio2半导体为催化剂， 有机分子结构如芳烃替代度、环效应和卤代度对光催化氧化降解的影响。结果标明，一体扰流喷淋除臭设备对芳烃类衍生物，单替代基较双替代基降解简单，能构成贯穿共轭体系的难降解。环效应、卤代度对光催化降解有较大影响，芳烃、环烷烃逐次削弱，卤代度越高，降解越困难，全卤代时---不降解。对甲机橙等染料废水进行光降解的研讨中发现，低浓度时，速率与浓度成正比联系；当反应物浓度添加到必定的程度时， 随浓度的添加反应速率有所增大，但不成正比，浓度到了必定的界限后，将不再影响反响速率。

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