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许多学者经过引进不同的金属离子或半导体对uv光催化剂进行改性以提高其活性和光敏性。在uv光催化设备中掺杂过渡族金属和掺杂氮元素对其进行改性进步tio2的光敏性，掺杂的过渡族金属例如v、cr、mn、fe、co、 ni和 cu使得吸收光的波段得到扩展。经过掺杂低浓度的wo3（4 wt.%)能够使锐钛矿型的tio2有用的使用可见光和紫外光进------的分化，光敏处理可使惠州uv光催化设备半导体具有的呼应光频，加速了电子传递来改进光催化反响。

发现tio2能够掺杂金属离子和一些半导体进行改性，tio2晶格内掺杂的元素能够有用的重建载体， 加速电子的搬迁速率， 以0.1-0.5% 的摩尔分率参加fe3+，mo5+，ru3+，os3+，re5+，v4+，和 rh3+能够显着的进步uv光催化剂的氧化和去除能力，可是co3+和al3+的参加使得uv光催化剂的活性下降。在2003 年发现pd/tio2催化剂在紫外线下对家---蒸汽的去除效果比单纯用tio2进步许多，可是pd的效果主要是避免催化剂活性的下降而不是进步其原有活性。惠州uv光催化设备tio2中参加---系金属（la3+，eu3+，pr3+，nd3+，sm3+）能够有用地进步催化剂外表的化学和物理吸附有机物的功能[10]。lindazou和yonggangluo发现sio2–tio2的活性高于tio2，而且比tio2失活的速度较慢。二元的氧化剂比二氧化钛也有更高的家---吸附容量。

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水分子吸附在催化剂外表将与空穴反响发作一些---，他们能够氧化一些污染物，在光催化反响其他条件如，uv光催化设备供货商，光强、温度、污染物浓度、催化剂等不变的情况下，水蒸气浓度从低到高，阅历了两个进程：在相对湿度较小时，光催化反应对vocs的去除率跟着水蒸气浓度添加而添加；uv光催化设备相对湿度较大时，光催化反响对vocs的去除率随水蒸气浓度的添加而相应减小。其原因是在进程中，即在相对湿度较小时，---自在基的生成浓度操控着反响对vocs的去除率，uv光催化设备，湿度添加提高了发作---自在基的浓度，提高了光催化反响的去除率，该阶段称为---自在基浓度操控进程。

在惠州uv光催化设备进程中，uv光催化设备供应，即相对湿度较高时，由于在反响进程中水蒸气和污染物在催化剂外表发作竞赛性吸附，因湿度的添加，污染物在催化剂外表的吸附量削减，光催化反响去除率下降，该阶段称为竞赛吸附操控进程。前期的学者们发现光催化反响中， 很大程度上由---自在基操控，在水蒸气存在的条件下虽然这些自在基显现出较高的反响速率，惠州uv光催化设备，可是水蒸气也会使一些光催化降解反响遭到阻止，例如甲醛、家---，水蒸气在催化剂外表吸附会对光催化反响发作---影响，由于污染物和水蒸气在催化剂活性方位发作了竞赛吸附下降了污染物的去除率。惠州uv光催化设备在必定范围内相对湿度添加会是vocs的降解率上升.

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